|  | 

В

Биография Вул Бенцион Моисеевич

[р. 9 (22) мая 1903] – сов. физик, чл.-корр. АН СССР (с 1939). Чл. КПСС с 1922. В 1928 окончил Киев. политехнич. ин-т. С 1932 работает в Физич. ин-те АН СССР. Труды посвящены физике диэлектриков.
Исследуя электрич. прочность диэлектриков, установил природу краевого эффекта при пробое твердых диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях. Открыл (1944) новый сегнетоэлектрик – титанат бария (ВаТiO3), обладающий очень высокой диэлектрич. проницаемостью.
Изучение сегнетоэлектрич. свойств титаната бария, проводимое В. и его сотрудниками, положило начало обширным исследованиям титаната бария и сходных с ним материалов и привело к разработке новых сегнетоматериалов и их технич. применений.
Лауреат Сталинской премии (1946). Соч.: Последовательный пробой твердых диэлектриков, “Журнал технической физики”, 1932, т. 2, вып. 3-4; Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью, “Электричество”, 1946, № 3 (совм. с И. М. Гольдман);
Пробой сжатого газа в неоднородном электрическом поле, “Доклады Акад. наук СССР”, 1934, т. 2, № 9 (совм. с И. М. Гольдман);
Диэлектрическая проницаемость рутиловых составов, там же, 1944, т. 43. № 7; Диэлектрическая проницаемость титанатов металлов второй группы, там же, 1945, т. 46, № 4 (совм. с И. М. Гольдман);
О природе пьезоэлектрических свойств титаната бария, в кн.: Памяти Сергея Ивановича Вавилова, М., 1952 (стр. 319-23); О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках, “Журнал технической физики”, 1955, т. 25, вып. 1, стр. 3-10; О пробое переходных слоев в полупроводниках, там же, 1956, т. 26, вып. 11, стр.2403-16. Вул, Бенцион Моисеевич (р. 22.V.1903) – советский физик, академик (1972; чл.-кор. 1939). Р. в Белой Церкви.
Окончил Киевский политехнический ин-т (1928). С 1932 работает в Физическом ин-те АН СССР (с 1933 – зав. лабораторией).
Работы посвящены физике диэлектриков и полупроводников.
Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях.
Исследовал твердые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, явления в диэлектриках при сильном гамма-облучении, установив основные закономерности изменения электропроводности диэлектриков под действием гамма-излучения.
Открыл и исследовал сегнетоэлектрические свойства титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков, широко используемых в современной технике (Государственная премия СССР, 1946). В 1948 начал исследования по физике полупроводников.
Под руководством Вула в нашей стране была начата разработка первых полупроводниковых диодов, транзисторов и солнечных элементов.
Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей.
Создал диффузионный транзистор и предложил р – “-переходы в полупроводниках использовать в качестве нелинейных конденсаторов.
При непосредственном участии Вула созданы (1963) первые в СССР полупроводниковые лазеры (Ленинская премия, 1964). Герой Социалистического Труда (1969). Соч.: Сегнетоэлектричество. – М., Изд-во АН СССР, 1956. Лит.: УФН, 1963, т. 80, вып. 4; Развитие физики в СССР. – М., Наука, 1967, 2 кн. Вул, Бенцион Моисеевич Род. 1903, ум. 1985. Физик, специалист по физике диэлектриков и полупроводников, квантовой электронике, автор научных трудов.
Лауреат Государственной премии СССР (1946) и Ленинской премии (1964). Герой Социалистического Труда (1969). Академик АН СССР (1972).


жемчужников александр михайлович

Биография Вул Бенцион Моисеевич